Высокоэффективный источник низкотемпературного нанесения пленок и покрытий
Высокоэффективный источник низкотемпературного нанесения пленок и покрытий
Организация нанотехнологической инфраструктурной сети включает изготовление метрологических и научно-исследовательских инструментов, а также технического оборудования международного уровня. В связи с этим этого был разработан вакуумно-дуговой источник для нанесения плёнок низкотемпературным способом, как многослойных, так и многокомпонентных каталитических слоев для изготовления наноструктур.
Источник изготовлен в Институте металлофизики имени Г.В. Курдюмова Национальной академии наук в Киеве. На его основе данного источника в ОАО "НИИ точного машиностроения", расположенного в Москве проводятся разработки высокоэффективного вакуумно-технологического устройства для нанесения пленок в приборах наноэлектроники и технологиях радиоэлектронной промышленности, а также для организации покрытий с уникальными техническими и физическими параметрами.
Процесс изготовления углеродных нанотрубок и прочих наноструктур тесным образом сочетается с формированием каталитических нанокластеров их нанесениее на каталитические слои. Среди критических характеристик данной технологии можно назвать адгезию нанокластеров к подложке, так как она определяет адгезию изготовленных углеродных наноструктур и параметры наноэлектронных устройств.
Чуть ранее были сведения, что использование функционирующего в магнитном поле вакуумно-дугового источника, который входит в состав плазменного гибридного комплекса, который служит для организации нанокластеров металла-катализатора без применения отжига высокими температурами.
Физические параметры данного источника, вызванные формой магнитного поля и конструкцией электродной системы, обеспечивают также нанесение стехиометрических переходных слоёв нитрида титана при температуре подложки (- 100). Можно сделать вывод, что реализуется полностью замкнутый низкотемпературный цикл становления нанокластерных конструкций, в том числе стадии изготовления пассивирующего и переходного слоев.
