В 2008 году объем продаж продукции из монокристаллического карбида кремния (SiC) составил около ~2 млрд. долл. а за последний год возрос на 38%. На планете на сегодняшний день находится не больше 10 фирм, которые берут на себя разработку технологии изготовления данного материала, при этом около 90% от всего оборота его изготовления выпадает на США. Лидером на данном рынке, а фактически монополистом (90% рынка США) в сфере изготовления монокристаллического SiC можно назвать компании. Сrее Inc.

Только эта компания, фактически рассматривается в виде технологического базиса «метод ЛЭТИ», занимающегося финансовой реализацией монокристаллического SiC а также разнообразных изделий из него.

На поставки эпитаксиальных структур, карбидокремниевых подложек и электронной компонентной базы на использовании SiC имеют место быть достаточно серьёзные ограничения с позиции изготовителя, что способствует значительному интересу к выходу на сторонних поставщиков данного вида товара со стороны огромных изготовителей электроники из-за рубежа.

Немаловажное значение для России имеет промышленная реализация отечественных разработок в данной сфере, необходимость которых определяется отсутствием в государстве устоявшегося производства эпитаксиальных структур карбида кремния и ЭКБ на основе подложек и это значительно понижает потенциал экспорта страны в областях наукоёмких технологий. Карбид кремния можно отнести к наноструктурно-зависимым семействам материалов.

Карбид кремния по своей терминологии, рассмотренной в начальном разделе рубрикатора (Н) государственной компании «Роснано», может быть классифицирован как наноматериал, «макроскопические параметры которого можно определить взаимным расположением элементов и/или размерами». Материал сам по себе слоистый, параметры его зависят от очердности наноразмерых слоев (элементов). По факту, SiC имеет слоистую кристаллическую сверхструктуру, которая построена из элементарных слоев нескольких типов: A, B и С, которые отличаются между собой кристаллической упаковкой в рамках каждого отдельного слоя.