Разработка монокристаллов карбида кремния являет собой весьма не простую техническую задачу. Основной проблемой при выращивании кристаллов SiC можно назвать отсутствие у него при реально технически осуществимых давлениях фазы жидкости, а также огромные температуры синтеза этого алмазоподобного материала.
При выращивании полупроводниковых монокристаллов карбида кремния весьма популярным можно назвать метод сублимации, т.е. конденсация и испарение синтезируемого вещества.
Первый раз чтобы получить кристаллический материал метод сублимации был изложен в конце ХIХ века учёным Ачесоном и до наших дней используется минимальными изменениями.

Кроме того, кристаллический карбид кремния для изготовление абразивов, добываемый данным способом, имеет несколько существенных недостатков, которые препятствуют его применению в электронике – это неконтролируемое и формообразование структурообразование кристаллов, а ткже их и их обильное загрязнение.
Новой вехой в развитии технологии создания монокристаллов полупроводникового SiC используя метод сублимации можно считать работу физика Лели из Голландии. Кристаллы, которые выращиваются по его способу, позволили устроить исследования главных фундаментальных параметров карбида кремния и изготовить первые полупроводниковые агрегаты на основе этого материале. Наряду с этим, оба рассматриваемых метода в принципе не позволяли выращивать кристаллы SiC крупного размера, которые бы оказались годными для конвейерного выпуска электронных приборов.
масштабные исследования массопереноса, кинетики кристаллизации, термодинамики процессов в газовой фазе и структурообразования политипов при создании карбида кремния, могут обеспечивать более полное понимание уникальных сторон сублимационного роста SiC и позволяют сформировать базу для иного подхода к синтезу монокристаллических слитков этого бинарного соединения.