В 2009 году в Российской академии наук был проведен ряд научных сессий, в ходе которых, в основном, рассматривались теоретическо-практические аспекты изучения и применения нанотехнологий в различных отраслях.
Лидирующую позицию в российской науке по ключевым направлениям фундаментальных исследований в сфере наноматериалов и нанотехнологий занимает Санкт-Петербургский центр академии наук РФ.
Среди исследований, которые проводятся Физическим институтом имени П.Н. Лебедева, нужно выделить работы, в которых при температурах, значительно превышающих критический порог для перехода “экситонный газ – электронно-дырочная жидкость”, по фотолюминесценциальным спектрам в наногетероструктурах Si/SiGe/Si обнаружен и изучен переход Мота, который проявляется с увеличением концентрации экситонов в потенциальной яме квазидвумерного SiGe-слоя. В возникающей электронно-дырочной плазме по форме линии люминесценции выявлена необходимая концентрация частиц.

Работниками Института электроники и радиотехники имени В.А.Котельникова Российской академии наук в терагерцовом диапазоне частот обнаружен эффект возникновения в фононном спектре наноструктурных керамик щели и проанализированы причины, которые приводят к ее формированию. Доказано, что оказывается влияние структуры межзеренных границ на общее положение в данном спектре верхнего края щели. Кроме того, было доказано смещение щели в ВЧ-область фононного спектра из-за включений, типичные габариты которых менее зерен основополагающего материала керамики. Институт теоретической физики имени Л.Д.Ландау Российской академии наук выявил возможность достичь нескольких градусов К в графене температуры порядка, что позволяет обеспечить переход в сверхпроводящее макроскопически положение. Данный эффект можно наблюдать при размещении в специфическом порядке на листе графена фрагментов сверхпроводящего металла размером порядка десятков нанометров между соседними фрагментами в доли микрометров.